在实际应用中，以集电极Ic 的动态波形来确定IGBT 的开关时间。
1 ．开通过程
从IGBT 的简图来看，IGBT 实质上可以认为是MOSFET 驱动的GTR ，其开通过程大部分时间是作为MOSFET 来运行的，其余部分时间作为MOSFET 和GTR 共同运行。集电极电流ic 的开通时间ton 由开通延迟时间td（on）和电流上升时间tri组成。集射极之间的电压uGE下降过程要比电流延迟一段时间，分为tfv1和tfv2 两段，这是由于内部MOSFET 和GTR 控制关系而出现的现象。
2 ．关断过程
当施加反向控制电压时，集电极电流ic下降也要延迟一段时间td（off ) ，其下降过程包括两段时间tfi1和tfi2，其中tfi1对应于IGBT 内部的MOSFET 的关断过程，该段时间比较短暂；tfi2 对应于IGBT 内部的PNP 晶体管的关断过程，在此时间内，GTR 由于不承受反压，故其基区内的少子复合比较缓慢，造成集电极电流ic 下降较慢。