IGBT 是一个三端器件，具有栅极G 、集电极C 和发射极E , 目前多数的IGBT 为N 沟道型。
IGBT 是由双极型晶体管与MOSFET 组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET 驱动的厚基区PNP 晶体管，图中的Rdr 是晶体管基区内的调制电阻。IGBT 是一种场控器件，其开通与关断是由栅极和发射极间的电压uGE 决定的，当uGE 为正且大于开启电压uGE ( th ）时，MOSFET 内形成沟道，并为晶体管提供基极电流，进而使IGBT 导通。当uGE施加反向电压或不加电压时，MOSFET 内沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT 关断。
由于制作工艺不同，常导致器件具有不同的性能。按照IG - BT 器件C 、E 间击穿时PN 结耗尽层是否穿透高阻N-基区层为判断依据，可将IGBT 分为两大类：耗尽层穿透高阻N-基区的称为穿通型（Punch Through , PT ) IGBT ；没有穿透高阻N-基区的称为非穿通型（Non Punch Through , NPT ) IGBT 。PT-IGBT 采用外延法工艺，在制造更高电压的器件时，其技术复杂、成本非常高；NPT-IGBT 采用同质单晶硅和扩散工艺，可以制造出更高开关速度、低拖尾电流、正温度系数，且有更高抗电热冲击能力的IGBT 。目前西门子、东芝、IR 、富士、摩托罗拉等公司已推出用NPT 工艺制造的IGBT 。
IGBT 模块常用的电路结构有多种，在高压变频器中用得最多的为二合一封装或单一模块封装。